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Microelectronics Reliability

微電子可靠性 SCIE

Microelectronics Reliability

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4區(qū)中科院分區(qū)

Q3JCR分區(qū)

1.6影響因子

0026-2714

1872-941X

MICROELECTRON RELIAB

ENGLAND

工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

1964

80

Monthly

English

310

0.12...

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期刊簡介

微電子可靠性(Microelectronics Reliability)是一本由Elsevier Ltd出版的一本工程技術(shù)-工程:電子與電氣學(xué)術(shù)刊物,主要報道工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊,該刊創(chuàng)刊于1964年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級:Q3,2023年發(fā)布的影響因子為1.6,CiteScore指數(shù)3.3,SJR指數(shù)0.394。本刊非開放獲取期刊。

《微電子可靠性》致力于傳播微電子設(shè)備、電路和系統(tǒng)可靠性的最新研究成果和相關(guān)信息,涵蓋材料、工藝和制造、設(shè)計、測試和操作等各個方面。該期刊涵蓋以下主題:測量、理解和分析;評估和預(yù)測;建模和仿真;方法和緩解。將可靠性與微電子工程其他重要領(lǐng)域(如設(shè)計、制造、集成、測試和現(xiàn)場操作)相結(jié)合的論文也將受到歡迎,并且特別鼓勵報告該領(lǐng)域和特定應(yīng)用領(lǐng)域案例研究的實踐論文。

大多數(shù)被接受的論文將以研究論文的形式發(fā)表,描述重大進展和已完成的工作。回顧普遍感興趣的重要發(fā)展主題的論文可能會被接受作為評論論文發(fā)表。更初步的緊急通訊和關(guān)于當(dāng)前感興趣的已完成實踐工作的簡短報告可能會被考慮作為研究筆記發(fā)表。所有投稿均需經(jīng)過該領(lǐng)域頂尖專家的同行評審。

中科院分區(qū)信息

微電子可靠性2023年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2022年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2021年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2021年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
微電子可靠性2020年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Microelectronics Reliability(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352
32.2%
學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140
19.6%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179
27.1%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354
23.31%
學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140
18.93%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179
22.07%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計。JCR將收錄期刊分為176個不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計

1、Cite Score(2024年最新版)
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207
60%
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797
50%
大類:Engineering 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224
47%
大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434
47%
大類:Engineering 小類:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132
44%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284
43%
名詞解釋:

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對比及走勢

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • Comphy - A compact-physics framework for...

    25
  • An improved unscented particle filter ap...

    25
  • Threshold voltage peculiarities and bias...

    21
  • Identification of oxide defects in semic...

    16
  • Controversial issues in negative bias te...

    13
  • An Android mutation malware detection ba...

    13
  • A review of NBTI mechanisms and models

    12
  • New dynamic electro-thermo-optical model...

    12
  • Measurement considerations for evaluatin...

    11
  • Border traps and bias-temperature instab...

    10

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • MICROELECTRON RELIAB

    512
  • IEEE T ELECTRON DEV

    235
  • J MATER SCI-MATER EL

    205
  • IEEE ACCESS

    197
  • IEEE T COMP PACK MAN

    120
  • IEEE T POWER ELECTR

    120
  • J ELECTRON MATER

    103
  • J ALLOY COMPD

    101
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    100
  • ENERGIES

    87

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • MICROELECTRON RELIAB

    512
  • IEEE T NUCL SCI

    360
  • IEEE T ELECTRON DEV

    270
  • J APPL PHYS

    142
  • APPL PHYS LETT

    135
  • IEEE T POWER ELECTR

    120
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    101
  • IEEE T COMP PACK MAN

    98
  • J ELECTRON MATER

    93
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    88

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